Термодатчики на транзисторах

Физическая природа полупроводниковых материалов такова, что их параметры достаточно сильно зависят от температуры. В обычных усилительных схемах с этим явлением борются, а в измерителях температуры, наоборот, поощряют. Например, у кремниевых транзисторов при постоянном токе коллектора с повышением температуры напряжение «база – эмиттер» Uбэ уменьшается с теоретическим коэффициентом 2.1 мВ/°С.

Реальное напряжение может несколько отличаться от расчётного, что зависит от положения рабочей точки транзистора и его типа. В любом случае рекомендуется снижать и стабилизировать ток, протекающий через р-n-переход, чтобы устранить эффект саморазогрева кристалла. На рис. а...г показаны схемы подключения транзисторных термодатчиков к МК.

Рис. Схемы подключения транзисторных термодатчиков к МК

Источник: 1000 и одна микроконтроллерная схема. С. М. Рюмик. Вып. 1